문서의 임의 삭제는 제재 대상으로, 문서를 삭제하려면 삭제 토론을 진행해야 합니다. 문서 보기문서 삭제토론 증착 공정 (문단 편집) === PVD === {{{+1 Physical Vapor Deposition}}} 증착시키고자 하는 물질을 기체 형태로 증발시켜 상대적으로 차가운 기판 위에 응고되도록 하여 증착하는 기법이다. 아래의 화학기상증착법과 달리 소스와 기판 사이의 화학 반응에 별로 의존하지 않기 때문에, 비교적 증착 물질과 기판 종류를 크게 가리지 않고, 대체로 증착속도가 빠르다는 장점이 있다. 그렇다고 해서 화학적으로 잘 붙지 않는 물질을 억지로 증착시키면 당연히 쉽게 떨어져 나가므로(Lifting 이라고 한다) 주의가 필요하다. 증착 물질을 기화시키는 방법에 따라 열로 기화시키는 '''Evaporator''' 와 Plasma 상태의 Ion 을 충돌시켜 물리적으로 뜯어내는 '''Sputtering''' 의 두 가지로 나뉜다. * Evaporator * '''Thermal Evaporator''' - 열로 기화시켜 기판에 증착한다. * '''E-beam Evaporator''' - 전자 빔으로 기화시키는 방식. 국소적으로 훨씬 높은 온도를 가할 수 있어 끓는 점이 높은 물질도 사용이 가능한 장점이 있다. * Sputtering - 한 가지 주지의 사실은 Sputtering 이란 원래 어떤 입자가 어떤 고체 물질에 충돌하여, 그 충격으로 인해 표면의 원자가 튀어나오는 현상을 말한다는 것이다. 즉, 증착(Deposition)보다는 식각(Etching)에 가까운 것인데, 이것을 역으로 이용하여 증착하고자 하는 물질을 sputtering 시켜 튀어나온 입자를 기판에 증착하는 데에 사용하면서 역설적으로 증착기술의 명칭으로도 사용하게 되었다. 식각이나 분석기술(SIMS, XPS 등)에서는 본래의 의미 그대로 사용하기도 하니 주의가 필요하다. * '''Magnetron Sputtering''' - 소스 타겟 뒤쪽에 자석을 배치하여 자기장으로 Plasma 가 타겟 근처에 집중적으로 형성되도록 한다. 사실상 현재 사용되는 모든 Sputter 는 Magnetron Sputter 라고 보면 된다. * '''Reactive Sputtering''' - Sputtering 된 소스 물질이 Gas 와 반응하여 화합물을 증착하는 방식. 예를 들어 Ti 를 Sputtering 시키면서 N,,2,, 를 흘려 TiN 을 증착하는 것이다.저장 버튼을 클릭하면 당신이 기여한 내용을 CC-BY-NC-SA 2.0 KR으로 배포하고,기여한 문서에 대한 하이퍼링크나 URL을 이용하여 저작자 표시를 하는 것으로 충분하다는 데 동의하는 것입니다.이 동의는 철회할 수 없습니다.캡챠저장미리보기